Silitech Componentes Inc.

Atributo del producto

Valor del atributo

Fabricante:

Instrumentos de Texas

Categoría del producto:

MOSFET

RoHS:

Detalles

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD/SMT

Paquete / Estuche:

VSON-CLIP-8

Polaridad del transistor:

Canal N

Número de canales:

1 canal

Vds - Voltaje de ruptura de la fuente de drenaje:

100 V

Id - Corriente de drenaje continuo:

140 A

Rds On - Resistencia a la fuente de drenaje:

4,9 mOhms

Vgs - Voltaje de la fuente de compuerta:

- 20 V, + 20 V

Vgs th - Voltaje umbral de la fuente de compuerta:

2,2 V

Qg - Carga de puerta:

48 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de potencia:

195 W

Modo de canal:

Mejora

Marca registrada:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Embalaje:

Cinta cortada

Embalaje:

MouseReel

Marca:

Instrumentos de Texas

Configuración:

Soltero

Tiempo de otoño:

6 ns

Transconductancia hacia adelante - Min:

84 S

Altura:

1 milímetro

Largura:

6 milímetros

Tipo de producto:

MOSFET

Tiempo de ascenso:

6 ns

Serie:

CSD19532Q5B

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tipo de transistor:

1 canal N

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo de retardo de encendido típico:

7 ns

Ancho:

5 milímetros

Peso de la unidad:

0,003714 onzas